![]() |
Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )
Приветствуем Вас на форуме, посвященном Общим вопросам развития сознания –
где можно расширить свои представления о себе и окружающем пространстве,
попытаться осознать и конкретизировать свое реальное положение и состояние,
определить или уточнить направление дальнейшего движения,
попытаться объединить свои представления в единую концептуальную модель,
попытаться проявить собственные не до конца оформленные мысли.
Данное пространство открыто для конструктивного общения
всех стремящихся к осознанному развитию.
Но конструктивным и информационно-насыщенным его могут сделать только сами участники форума.
Помните: под лежачий камень – вода не течет.
Создавшие и поддерживающие это виртуальное пространство
готовы по мере своих сил и возможностей способствовать конструктивному общению.
![]() |
![]()
Сообщение
#1
|
|
Активный участник ![]() ![]() ![]() Группа: Участники Сообщений: 237 Регистрация: 12.3.2005 Пользователь №: 4 ![]() |
Новости физики I[b][color=#6600CC]
Фрактал протона - новый представитель в семействе фракталов http://www.laboratory.ru/articl/hypo/ax160r.htm Раздел физики, родившийся из ошибки
Прикрепленные файлы
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() -------------------- С уважением
|
|
|
![]() |
Guest_---_* |
![]()
Сообщение
#2
|
Гость ![]() |
Создан новый источник излучения для литографии в дальнем ультрафиолете.
![]() "Новый источник излучения для использования в системах литографии в дальнем ультрафиолете (Extreme UltraViolet Lithography, EUVL), разработан в университете штата Калифорния в г. Сан-Диего (США) совместно с компанией Cymer. Группа исследователей под руководством Марка Тиллака (Mark Tillack), подала патентную заявку на использование сделанного ими открытия, которое позволяет использовать в EUVL-системах импульсы СО2-лазера большой продолжительности. В настоящее время используются EUVL-системы, где лазерное излучение на длине волны в области вакуумного ультрафиолета с ультракороткими импульсами направляется непосредственно на маску и через нее на кремниевую пластину. Подобные системы в перспективе позволят осуществить массовый переход в производстве микросхем на технологический процесс 32 нм. Однако стоимость их пока очень высока, а производительность недостаточна. В процессе, разработанном калифорнийскими учеными, используется преобразование энергии излучения СО2 лазера в излучение в вакуумном ультрафиолете. Такой вариант существенно удешевит создание и эксплуатацию промышленных лазерных установок, к тому же эффективность использования излучения в этом случае также выше. Д-р Тиллак считает, что использование нового источника для литографии позволит создавать модули флэш-памяти размером в 200 Гбайт, что в итоге приведет к постепенному вытеснению с рынка жестких дисков." |
|
|
![]() ![]() |
Текстовая версия | Сейчас: 24th June 2024 - 13:14 |